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加藤祐作, 伊庭信吾, 関谷毅, 染谷隆夫, "ポリイミドゲート絶縁膜を用いたペンタセンFETのin-situプロセスによるon/off比の改善," 第65回応用物理学会学術講演会, 2p-ZR-7, 2004年9月. | |
ID | 637 |
分類 | 国内会議(一般講演:口頭) |
タグ | |
表題 (title) |
ポリイミドゲート絶縁膜を用いたペンタセンFETのin-situプロセスによるon/off比の改善 |
表題 (英文) |
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著者名 (author) |
加藤祐作,伊庭信吾,関谷毅,染谷隆夫 |
英文著者名 (author) |
加藤祐作,伊庭信吾,関谷毅,染谷隆夫 |
キー (key) |
加藤祐作,伊庭信吾,関谷毅,染谷隆夫 |
定期刊行物名 (journal) |
第65回応用物理学会学術講演会, 2p-ZR-7 |
定期刊行物名 (英文) |
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巻数 (volume) |
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号数 (number) |
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ページ範囲 (pages) |
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刊行月 (month) |
9 |
出版年 (year) |
2004 |
Impact Factor (JCR) |
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URL |
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付加情報 (note) |
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注釈 (annote) |
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内容梗概 (abstract) |
p.1168, 東北学院大学 泉キャンパス,仙台,2004年9月.
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論文電子ファイル | 利用できません. |
BiBTeXエントリ |
@article{id637, title = {ポリイミドゲート絶縁膜を用いたペンタセンFETのin-situプロセスによるon/off比の改善}, author = {加藤祐作 and 伊庭信吾 and 関谷毅 and 染谷隆夫}, journal = {第65回応用物理学会学術講演会, 2p-ZR-7}, month = {9}, year = {2004}, } |